2024-04-21
开云发现压力诱导氮化二钙从金属转变为半导体—新闻—科学网
本报讯（记者闫洁）北京高压科学研究中央研究员缑慧阳团队以及日本东京工业年夜学互助，于二维电子化合物 氮化二钙中发明了压力引诱金属向半����APP导体改变的征象，从而为合成新的电子化合物提供了思绪。相干成果日前揭晓在《进步前辈科学》。 电子化合物是一类非凡的离子化合物，此中阴离子是多余的价电子。疏松联合的电子阴离子不凭借任何原子以及基团。此类化合物非凡的电子举动，使电子化合物于催化、电池以及电子范畴有着较年夜的潜于运用远景。 研究职员发明，高压下的氮化二钙会呈现3种新的晶体布局，而且晶体布局的改变同时陪同着氮原子配位数的增长。丈量注解，常压下金属态的氮化二钙跟着压力增长，其电阻迟缓增长，而且于10~20 GPa（1GPa=109帕）之间急剧增长。于约20 GPa时，电阻上升到300欧姆。这象征着压力引诱氮化二钙实现了从金属到半导体的改变。 该团队还对于差别布局的氮化二钙电子局域状况举行了理论计较。研究注解，跟着压力增长，高压相布局中电子阴离子的漫衍由二维改变为一维。跟着压力的进一步增长，阴离子电子被彻底分散开，而且局域于零维的笼子里。恰是这类高压下阴离子局域化的从头漫衍，致使了半导体特征的呈现。 相干论文信息：https://doi.org/10.1002/advs.201800666 《中国科学报》 (2018-09-10 第4版 综合)/开云
